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> ALD1105SBL MOSFET 2N+2P 13.2V 14-SOIC
型号:
ALD1105SBL
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Advanced Linear Devices Inc
描述:
MOSFET 2N+2P 13.2V 14-SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
ALD1105SBL PDF
标准包装
25
系列
-
FET 型
2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥式)
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
13.2V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4.8mA,2mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
500 欧姆 @ 5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 1µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
500mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
14-SOIC
包装
管件
其它名称
1014-1011
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